講演情報
[23a-B201-10]二層カーボンコンポジット高熱伝導材によるGaNデバイスの低熱抵抗化
〇大崎 賢司1、土屋 洋一1、齊藤 裕人1、田中 敦之2、須賀 唯知3、マルティネス ノラ3、竹馬 克洋4、分島 彰男1 (1.名古屋工業大学、2.名古屋大学、3.明星大学、4.株式会社サーモグラフィティクス)
キーワード：
カーボン,GaN,熱抵抗
グラファイトカーボンを積層したCC材は、熱伝導に異方性を持つ。この構造で熱が広がらない方向も有効に使うために、2層構造を提案した。2層構造では、垂直方向の高熱伝導特性を維持したまま、面内方向の熱伝導の異方性を疑似的に低減させ、熱抵抗を30%以上低減することが可能であると報告した。今回、2層構造CC材の上に市販品GaNデバイスを実装し、GaNデバイスの低熱抵抗化を確認できたので報告する。