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9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[23a-B201-2]Fabrication of the GaN source side PSJ FET with built in freewheel diode

〇(M2)Eito Kokubo⁴, Hirotaka Watanabe¹, Atsushi Tanaka¹, Manato Deki², Shugo Nitta¹, Yoshio Honda^1,2,3, Hiroshi Amano^1,2,3 (1.IMaSS Nagoya Univ., 2.D center Nagoya Univ., 3.IAR Nagoya Univ., 4.Nagoya Univ.)

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Keywords:

Transistor,PSJ,Freewheel diode

PSJトランジスタは横型デバイスながら1200V以上の耐圧を実現できるため高耐圧デバイスの候補として注目されている．PSJ構造をソース電極に接続することでフリーホイールダイオードとしての役割を持たせる構造を考案し，シミュレーションと作製を行った．その結果，PSJ構造をソース側に設けた場合でもトランジスタとしての動作に影響はなく，3.4V程度で逆導通が起きることが確認できた．

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