Presentation Information
[23a-B201-3]Demonstration of 400V/10A switching operation in EID AlGaN/GaN MOS-HEMT
〇Takuma Nanjo1, Shotaro Yamamoto1, Tomohiro Shinagawa1, Masayuki Furuhashi1, Kazuyasu Nishikawa1, Takashi Egawa2 (1.Advanced Technology R&D Center, Mitsubishi Electric Corp., 2.Nagoya Inst. of Tech)
Keywords:
GaN,HEMT
完全空乏化したAlGaN/GaNヘテロ界面に2DEGを選択的に誘起できる新規技術を適用したエッチングフリーで作製できるプレーナ型EID-HEMTを作製し、ゲート幅が150mmのマルチフィンガー型の素子にて400V/10Aの安定したスイッチング動作を実証した。