[23a-B201-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:30 〜 9:45

[23a-B201-3] EID AlGaN/GaN MOS-HEMTの400V/10Aスイッチング動作実証EID AlGaN/GaN MOS-HEMTの400V/10Aスイッチング動作実証

〇南條 拓真¹、山本 章太郎¹、品川 友宏¹、古橋 壮之¹、西川 和康¹、江川 孝志² (1.三菱電機 先端総研、2.名工大)

キーワード：

窒化ガリウム,高電子移動度トランジスタ

完全空乏化したAlGaN/GaNヘテロ界面に2DEGを選択的に誘起できる新規技術を適用したエッチングフリーで作製できるプレーナ型EID-HEMTを作製し、ゲート幅が150mmのマルチフィンガー型の素子にて400V/10Aの安定したスイッチング動作を実証した。