[23a-B201-1~11] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[23a-B201-4] Device characteristics of AlGaInN/GaN HEMTs with a thin UID-GaN channel fabricated on single-crystal AlN substrate

〇Tomoyuki Kawaide¹, Yoshinobu Kometani¹, Sakura Tanaka¹, Takashi Egawa¹, Makoto Miyoshi¹ (1.Nagoya Inst. Tech.)

Keywords:

GaN-HEMT,Single-Crystal AlN,Current collapse

本研究では、下地AlN層によるバックバリア機能のさらなる強化を図るため、UID-GaNチャネルを150 nmまで薄層化したAlGaInN/GaN HEMTを作製し特性評価を行った。試作したAlGaInN/GaN HEMTデバイスのDC電気特性を評価したところ、大電流域での顕著な負性抵抗が見られない良好なピンチオフ特性が得られた。また、off状態のドレイン-ソース間ストレスバイアスを20VとしたパルスI-V測定を行ったところ、ドレイン電流コラプス現象に伴う電流減少率が1%未満という良好な結果が得られた。