[23a-B201-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

9:45 〜 10:00奨励賞エントリー

[23a-B201-4] 単結晶AlN基板上への薄層UID-GaNチャネルを備えたAlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価

〇川出 智之¹、米谷 宜展¹、田中 さくら¹、江川 孝志¹、三好 実人¹ (1.名工大工)

キーワード：

GaN-HEMT,単結晶AlN,電流コラプス

本研究では、下地AlN層によるバックバリア機能のさらなる強化を図るため、UID-GaNチャネルを150 nmまで薄層化したAlGaInN/GaN HEMTを作製し特性評価を行った。試作したAlGaInN/GaN HEMTデバイスのDC電気特性を評価したところ、大電流域での顕著な負性抵抗が見られない良好なピンチオフ特性が得られた。また、off状態のドレイン-ソース間ストレスバイアスを20VとしたパルスI-V測定を行ったところ、ドレイン電流コラプス現象に伴う電流減少率が1%未満という良好な結果が得られた。