[23a-B201-1~11] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)

[23a-B201-6] GaN HEMT using High-k films with thickness distribution between GD to improve

〇Yoshikaze Ito¹, Yasuyuki Miyamoto¹ (1.Tokyo tech.)

Keywords:

GaN HEMT,breakdown voltage,passivation

異なるパターンを持つHigh-k膜によってGaN HEMTのパッシベーションを行い電気特性の測定を行った．High-k膜を堆積していないデバイス，GD間に一様堆積したデバイス，ゲート側にのみ堆積させたデバイスの順に耐圧が高くなることが示された．実験結果は、実際のデバイスでも膜厚分布を持つHigh-k膜によって電界集中を緩和でき、耐圧を向上させることが出来る可能性を示している。