講演情報
[23a-B201-6]耐圧向上を目指したGD間膜厚分布を持つHigh-k膜によるGaN HEMT
〇伊東 幸風1、宮本 恭幸1 (1.東工大)
キーワード：
GaN HEMT,耐圧,パッシベーション
異なるパターンを持つHigh-k膜によってGaN HEMTのパッシベーションを行い電気特性の測定を行った．High-k膜を堆積していないデバイス，GD間に一様堆積したデバイス，ゲート側にのみ堆積させたデバイスの順に耐圧が高くなることが示された．実験結果は、実際のデバイスでも膜厚分布を持つHigh-k膜によって電界集中を緩和でき、耐圧を向上させることが出来る可能性を示している。