[23a-B201-1~11] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)

[23a-B201-7] Reduction of buffer leakage current and improvement of 3-terminal characteristics of N-polar GaN HEMTs

〇Akihiro Hayasaka¹, Shigeki Yoshida¹, Takahide Hirasaki¹, Isao Makabe¹, Masaya Okada¹, Yukihiro Tsuji¹, Kozo Makiyama¹, Ken Nakata¹ (1.Sumitomo Electric Industries, Ltd.)

Keywords:

N-polar GaN HEMTs,buffer leakage current

N極性GaN HEMTはGa極性GaN HEMTと比べ、高周波化と高出力化のトレードオフを脱却する特性のブレークスルーが期待されている。しかし、技術課題として、N極性GaN特有の酸素取り込み現象によるバッファリーク電流の増大が報告されている。本発表では、リークパスの検証結果からバッファリークの存在を示し、バッファリークの低減と3端子特性の改善について報告する。