講演情報
[23a-B201-7]N極性GaN HEMTのバッファリーク低減および3端子特性の改善
〇早坂 明泰1、吉田 成輝1、平崎 貴英1、眞壁 勇夫1、岡田 政也1、辻 幸洋1、牧山 剛三1、中田 健1 (1.住友電工)
キーワード：
N極性GaN HEMT,バッファリーク電流
N極性GaN HEMTはGa極性GaN HEMTと比べ、高周波化と高出力化のトレードオフを脱却する特性のブレークスルーが期待されている。しかし、技術課題として、N極性GaN特有の酸素取り込み現象によるバッファリーク電流の増大が報告されている。本発表では、リークパスの検証結果からバッファリークの存在を示し、バッファリークの低減と3端子特性の改善について報告する。