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11:00 AM - 11:15 AM JST(2:00 AM - 2:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[23a-B201-8]Simulation and modelling of 2DEG density in ScAlN/GaN and AlGaN/GaN

〇Yusuke Wakamoto¹, Atsushi Kobayashi², Yoshiaki Nakano¹, Takuya Maeda¹ (1.UTokyo, 2.Tokyo University of Science)

Keywords:

ScAlN,GaN,2DEG

本研究では，ScAlN/GaNおよびAlGaN/GaNの2DEG濃度の組成・膜厚依存性について数値計算を行い, またFang-Howard近似に基づいて, 解析モデルを提案した. 数値計算によりScAlN/GaNではAlGaN/GaNの場合よりも3-6倍程度の2DEG濃度が得られた. 解析モデルは数値計算結果をおおよそ再現し, 妥当であることがわかった. このモデルは2DEG濃度の簡易な数値計算および明瞭な物理的解釈を与える点で有用である.

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