[23a-B201-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[23a-B201-8] ScAlN/GaNおよびAlGaN/GaNの二次元電子ガス濃度の数値計算と解析モデルの提案

〇若本 裕介¹、小林 篤²、中野 義昭¹、前田 拓也¹ (1.東大工、2.東京理科大)

キーワード：

ScAlN,GaN,二次元電子ガス

本研究では，ScAlN/GaNおよびAlGaN/GaNの2DEG濃度の組成・膜厚依存性について数値計算を行い, またFang-Howard近似に基づいて, 解析モデルを提案した. 数値計算によりScAlN/GaNではAlGaN/GaNの場合よりも3-6倍程度の2DEG濃度が得られた. 解析モデルは数値計算結果をおおよそ再現し, 妥当であることがわかった. このモデルは2DEG濃度の簡易な数値計算および明瞭な物理的解釈を与える点で有用である.