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[23p-A202-8]Photoliminescence dynamics of suspended TMDC monolayer

〇(M1)Yuto Murakami1, Keishi Akada1, Samuel Jeong1, Yusuke Arashida1, Hiroyuki Mogi1, Shoji Yoshida1, Jun-ichi Fujita1 (1.Univ. of Tsukuba)

Keywords:

semiconductor,luminescence,scanning probe microscope

MoS2をはじめとする単層で優れた光学特性を示す遷移金属ダイカルコゲナイドの発光特性の解明に向け、単層MoS2サスペンド試料を作製し、格子歪みや表面電位、発光寿命を測定した。結果は本来n型であるMoS2フェルミ準位位置がAuとの電荷移動によりギャップ中央にシフトすることを示しており、非輻射再結合が支配的なトリオンの生成抑制が、強い発光強度に起因することが示唆された。