講演情報
[23p-A202-8]単層TMDCサスペンド構造の発光ダイナミクス解析
〇(M1)村上 勇斗1、赤田 圭史1、鄭 サムエル1、嵐田 雄介1、茂木 裕幸1、吉田 昭二1、藤田 淳一1 (1.筑波大数理)
キーワード：
半導体,発光,走査プローブ顕微鏡
MoS2をはじめとする単層で優れた光学特性を示す遷移金属ダイカルコゲナイドの発光特性の解明に向け、単層MoS2サスペンド試料を作製し、格子歪みや表面電位、発光寿命を測定した。結果は本来n型であるMoS2フェルミ準位位置がAuとの電荷移動によりギャップ中央にシフトすることを示しており、非輻射再結合が支配的なトリオンの生成抑制が、強い発光強度に起因することが示唆された。