[23p-A303-1~8] 13.3 Insulator technology

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)

[23p-A303-1] Confirmation of Interface Dipole Modulation in Metal/Al₂O₃/SnO_x/SiO₂/Si MOS structures

〇Yoshiharu Kirihara¹, Shunichi Ito¹, Akira Yasui², Ryousuke Ishikawa¹, Hiroshi Nohira¹ (1.Tokyo City Univ., 2.JASRI)

Keywords:

Interface Dipole Modulation,Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy,MOS structures

これまでの界面ダイポール変調(Interface Dipole Modulation: IDM)動作は変調層がTiO₂である場合にのみ観測されているため、他の材料での動作を確認することで詳細なメカニズム解明が期待できる。本研究では、変調層にスズの酸化物を用いたAl₂O₃/SnO_x/SiO₂構造の試料をC-V測定および電圧印加硬X線光電子分光法(HAXPES)により測定し、印加電圧に応じた変化を観測したので報告する。