講演情報
[23p-A303-1]Metal/Al2O3/SnOx/SiO2/Si MOS構造における界面ダイポール変調の確認
〇桐原 芳治1、伊藤 俊一1、保井 晃2、石川 亮佑1、野平 博司1 (1.都市大、2.高輝度光科学研究センター)
キーワード：
界面ダイポール変調,硬X線光電子分光法,MOS構造
これまでの界面ダイポール変調(Interface Dipole Modulation: IDM)動作は変調層がTiO2である場合にのみ観測されているため、他の材料での動作を確認することで詳細なメカニズム解明が期待できる。本研究では、変調層にスズの酸化物を用いたAl2O3/SnOx/SiO2構造の試料をC-V測定および電圧印加硬X線光電子分光法(HAXPES)により測定し、印加電圧に応じた変化を観測したので報告する。