[23p-A307-1~15] 6.3 Oxide electronics

2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)

[23p-A307-6] Off time dependence of conductance change behavior of HfO₂ based ReRAM device with voltage pulses stimulation

〇Masakazu Tanaka¹, Shinji Okayasu¹, Chuanyang Huang¹, Tomohiro Shimizu¹, Takeshi Ito¹, Shoso Shingubara¹ (1.Kansai Univ.)

Keywords:

ReRAM,artificial synapse,off time

近年ReRAMではニューロモルフィックコンピューティングでの人工シナプス素子への応用が注目されている。人工シナプス素子として機能するためには電圧パルスに対してコンダクタンスが連続的に変化することが望ましい。本研究では電圧の値のみでなく、パルスのon time、及びoff timeに対してコンダクタンス変化挙動を調査してきた。今回は特にoff time依存性に着目して検討を行ったので、報告する。