講演情報
[23p-A307-6]HfO2-ReRAMへの電圧パルス印可でのコンダクタンス変化のoff time依存性
〇田中 正和1、岡安 真治1、黄 川洋1、清水 智弘1、伊藤 健1、新宮原 正三1 (1.関西大理工)
キーワード：
抵抗変化メモリ,人工シナプス,off time
近年ReRAMではニューロモルフィックコンピューティングでの人工シナプス素子への応用が注目されている。人工シナプス素子として機能するためには電圧パルスに対してコンダクタンスが連続的に変化することが望ましい。本研究では電圧の値のみでなく、パルスのon time、及びoff timeに対してコンダクタンス変化挙動を調査してきた。今回は特にoff time依存性に着目して検討を行ったので、報告する。