[23p-A602-1~16] 15.5 Group IV crystals and alloys

12:45 PM - 1:00 PM JST(3:45 AM - 4:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[23p-A602-1] Evaluation of Band Structure of Single Crystalline Si_1-xSn_x by PL and XPS

〇Hiroki Ishizaki¹, Ryo Yokogawa^1,2, Yuta Ito¹, Tatsuki Oiwa³, Masashi Kurosawa³, Atsushi Ogura^1,2 (1.Meiji Univ., 2.MREL, 3.Grad. Sch. of Eng., Nagoya Univ.)

Keywords:

silicon-tin

SiSnはSn添加を増加させることにより直接遷移型半導体に変わるため、次世代光デバイスへの応用が期待されている。しかし、実測定によるSiSnのバンド構造は未だ不明瞭のままである。以上背景を鑑み、本研究では、PL法用いて、単結晶SiSnのバンド端発光を観測した。高Sn組成化した場合、圧縮歪に比べSn組成による影響が強く、バンド端発光が低エネルギーシフトしたため、バンドギャップの縮小が示唆された。