講演情報
[23p-A602-1]PL法及びXPSによる単結晶Si1-xSnxのバンド構造評価
〇石崎 寛規1、横川 凌1,2、伊藤 佑太1、大岩 樹3、黒澤 昌志3、小椋 厚志1,2 (1.明治大理工、2.明大MREL、3.名大院工)
キーワード：
シリコンスズ
SiSnはSn添加を増加させることにより直接遷移型半導体に変わるため、次世代光デバイスへの応用が期待されている。しかし、実測定によるSiSnのバンド構造は未だ不明瞭のままである。以上背景を鑑み、本研究では、PL法用いて、単結晶SiSnのバンド端発光を観測した。高Sn組成化した場合、圧縮歪に比べSn組成による影響が強く、バンド端発光が低エネルギーシフトしたため、バンドギャップの縮小が示唆された。