Presentation Information
[23p-A602-11]Channel Direction Dependence of Anisotropic Biaxial Stress in Extremely-Thin-Body GOI p-type MOSFET
〇Ryo Yokogawa1,2, Yuiha Maeda1, Sho Sugawa1, Chia-Tsong Chen3, Kasidit Toprasertpong3, Mitsuru Takenaka3, Shinichi Takagi3, Atsushi Ogura1,2 (1.Meiji Univ., 2.MREL, 3.Univ. of Tokyo)
Keywords:
GOI,MOSFET,Raman spectroscopy
本講演では極薄膜GOI pMOSFETの異方性二軸応力のチャネル方向依存性評価を行ったので報告する。これまで<110>GOIチャネルにて、チャネル幅減少に伴い応力緩和を観測したものの異方性二軸応力のチャネル方向依存性は未だ明らかになっていない。本研究では<100>GOI pMOSFETの応力評価を行い、幅が比較的広いチャネルで既に応力緩和を観測し、チャネル方向依存性を有することが明らかになった。