講演情報
[23p-A602-11]極薄膜GOI pMOSFETに印加される異方性二軸応力のチャネル方向依存性
〇横川 凌1,2、前田 唯葉1、寿川 尚1、Chen Chia-Tsong3、Toprasertpong Kasidit3、竹中 充3、高木 信一3、小椋 厚志1,2 (1.明治大理工、2.明治大MREL、3.東大院工)
キーワード：
GOI,MOSFET,ラマン分光法
本講演では極薄膜GOI pMOSFETの異方性二軸応力のチャネル方向依存性評価を行ったので報告する。これまで<110>GOIチャネルにて、チャネル幅減少に伴い応力緩和を観測したものの異方性二軸応力のチャネル方向依存性は未だ明らかになっていない。本研究では<100>GOI pMOSFETの応力評価を行い、幅が比較的広いチャネルで既に応力緩和を観測し、チャネル方向依存性を有することが明らかになった。