[23p-A602-1~16] 15.5 Group IV crystals and alloys

3:45 PM - 4:00 PM JST(6:45 AM - 7:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[23p-A602-12] Channel Width Dependence of Anisotropic Biaxial Stress in Extremely Thin Body (100) SGOI p-MOSFET

〇Yuiha Maeda¹, Ryo Yokogawa^1,2, Sho Sugawa¹, Chen Chia-Tsong³, Toprasertpong Kasidit³, Mitsuru Takenaka³, Shinichi Takagi³, Atsushi Ogura^1,2 (1.Meiji Univ., 2.Meiji Renewable Energy Laboratory, 3.Univ. of Tokyo)

Keywords:

SiGe,strain

MOSFETのチャネル領域に歪を印加することにより、キャリア移動度を向上させることが可能である。極薄膜SGOI層は複雑な構造を用いることなく歪印加が可能であるが、デバイス加工により歪状態は複雑に変化するため、チャネル領域の詳細な歪評価が必要となる。そこで、液浸ラマン分光法を用いて極薄膜SGOI p-MOSFETのチャネル領域における異方性二軸応力を評価し、チャネル幅依存性について検討を行った。