[23p-A602-1~16] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[23p-A602-12] 極薄膜(100)SGOI p-MOSFETのチャネル領域における異方性二軸応力のチャネル幅依存性

〇前田 唯葉¹、横川 凌^1,2、寿川 尚¹、Chia-Tsong Chen³、Kasidit Toprasertpong³、竹中 充³、高木 信一³、小椋 厚志^1,2 (1.明治大理工、2.明治大MREL、3.東大院工)

キーワード：

SiGe,歪み

MOSFETのチャネル領域に歪を印加することにより、キャリア移動度を向上させることが可能である。極薄膜SGOI層は複雑な構造を用いることなく歪印加が可能であるが、デバイス加工により歪状態は複雑に変化するため、チャネル領域の詳細な歪評価が必要となる。そこで、液浸ラマン分光法を用いて極薄膜SGOI p-MOSFETのチャネル領域における異方性二軸応力を評価し、チャネル幅依存性について検討を行った。