[23p-A602-1~16] 15.5 Group IV crystals and alloys

1:15 PM - 1:30 PM JST(4:15 AM - 4:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[23p-A602-3] Local strain distribution analysis in strained SiGe spintronics devices

〇(M1)Tomoki Onabe¹, Zhendong Wu¹, Tetsuya Tohei¹, Yusuke Hayashi^1,2, Kazushi Sumitani³, Yasuhiko Imai³, Shigeru Kimura³, Takahiro Naito¹, Kohei Hamaya^1,2, Akira Sakai^1,2 (1.Grad. Sch. Eng. Sci., Osaka Univ., 2.OTRI-Spin, Osaka Univ., 3.JASRI)

Keywords:

semiconductor,spintronics,crystallinity analysis

歪みSiGeスピントロニクスデバイスのスピン伝導特性、微細結晶構造、局所歪み分布の関係を明らかにするためにnanoXRD測定とTEM観察を行った。その結果、スピン信号大のデバイスではチャネルに適切な歪みが印加されていることが定量的に示され、スピン信号小のデバイスでは格子欠陥に起因する歪みの緩和と結晶性の変化が検出された。これは実デバイス構造における歪みや結晶性の定量的解析に有効であることを示す。