講演情報
[23p-A602-3]歪みSiGeスピントロニクスデバイスにおける局所歪み分布解析
〇(M1)尾鍋 友毅1、武 振東1、藤平 哲也1、林 侑介1,2、隅谷 和嗣3、今井 康彦3、木村 滋3、内藤 貴大1、浜屋 宏平1,2、酒井 朗1,2 (1.阪大院基礎工、2.阪大OTRIスピン、3.JASRI)
キーワード：
半導体,スピントロニクス,結晶性評価
歪みSiGeスピントロニクスデバイスのスピン伝導特性、微細結晶構造、局所歪み分布の関係を明らかにするためにnanoXRD測定とTEM観察を行った。その結果、スピン信号大のデバイスではチャネルに適切な歪みが印加されていることが定量的に示され、スピン信号小のデバイスでは格子欠陥に起因する歪みの緩和と結晶性の変化が検出された。これは実デバイス構造における歪みや結晶性の定量的解析に有効であることを示す。