Presentation Information
[23p-B201-2]Temperature dependence of barrier height in Ni/β-Ga2O3 Schottky junction Obtained by the Analysis Based on the Thermionic Emission-Diffusion model
〇AKihira Munakata1, Kohei Sasaki2, Kentaro Ema2, Yoshiaki Nakano1, Takuya Maeda1 (1.Tokyo Univ., 2.Novel Crystal Technology, Inc.)
Keywords:
gallium oxide,Schottky
酸化ガリウムのショットキー障壁高さの温度依存性について報告例はあるものの、測定手法ごとに差異があり詳細な議論がなされていない。本研究では、C-V, I-V測定から障壁高さの温度依存性を求めた。また、I-V特性の解析においては、移動度の温度依存性を考慮して熱電子放出拡散モデルを用いることが重要であるとわかった。