講演情報
[23p-B201-2]Ni/β-Ga2O3ショットキー接合の障壁高さの温度依存性の評価における熱電子放出-拡散モデルに基づく解析の重要性
〇棟方 晟啓1、佐々木 公平2、江間 研太郎2、中野 義昭1、前田 拓也1 (1.東大工、2.ノベルクリスタルテクノロジー)
キーワード：
酸化ガリウム,ショットキー
酸化ガリウムのショットキー障壁高さの温度依存性について報告例はあるものの、測定手法ごとに差異があり詳細な議論がなされていない。本研究では、C-V, I-V測定から障壁高さの温度依存性を求めた。また、I-V特性の解析においては、移動度の温度依存性を考慮して熱電子放出拡散モデルを用いることが重要であるとわかった。