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2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[23p-B201-4]AC Stress Long (100h) Measurement of Diamond NO₂ p-type doped MOSFET

〇Tomoki Shiratsuchi¹, Niloy Chandra Saha¹, Toshiyuki Oishi¹, Makoto Kasu¹ (1.Saga Univ.)

Keywords:

Diamond,Stress measurement,MOSFET

ダイヤモンドは5.47eVのバンドギャップエネルギーを有し, 次世代パワー半導体として期待されている. 我々は最近, ダイヤモンドMOSFETのパワー回路を作製し, <10nsの高速スイッチング特性と190hの長時間DCストレス特性を報告した. しかし, 実用パワー回路応用ではAC動作の動特性も重要である. そのため, 本研究ではACストレス測定を行い, 劣化のない特性が得られたので報告する.

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[23p-B201-4]AC Stress Long (100h) Measurement of Diamond NO2 p-type doped MOSFET

Keywords:

[23p-B201-4]AC Stress Long (100h) Measurement of Diamond NO₂ p-type doped MOSFET