講演情報
[23p-B201-4]ダイヤモンドNO2 p型ドープMOSFETの長時間(100h)ACストレス測定
〇白土 智基1、サハ ニロイ チャンドラ1、大石 敏之1、嘉数 誠1 (1.佐賀大院工)
キーワード：
ダイヤモンド,ストレス測定,MOSFET
ダイヤモンドは5.47eVのバンドギャップエネルギーを有し, 次世代パワー半導体として期待されている. 我々は最近, ダイヤモンドMOSFETのパワー回路を作製し, <10nsの高速スイッチング特性と190hの長時間DCストレス特性を報告した. しかし, 実用パワー回路応用ではAC動作の動特性も重要である. そのため, 本研究ではACストレス測定を行い, 劣化のない特性が得られたので報告する.