Presentation Information
[23p-B202-6]Nonlinearity of Silicon Photodiode under the over-filled and under-filled illumination at the Near-infrared region
〇Minoru Tanabe1 (1.AIST NMIJ)
Keywords:
Silicon Photodiode,Radiometry,Photometry
シリコンフォトダイオード(Si PD)は、ナノワットからミリワットの広い光パワーレベルや可視から近赤外の波長範囲で精密な光測定が可能である。広い光パワーで精密な測定を実施するためには、Si PDの応答の直線性を評価する必要がある。理想的なSi PDは応答出力が直線的であるが、ほとんどが、応答が増加・減少する非直線性（スーパリニアリティ・飽和）を示す。よって、この非直線性を評価し、補正や予測する必要がある。本研究では、Si PDの近赤外領域における、オーバーフィル照射とアンダーフィル照射での応答非直線性を評価した。