講演情報
[23p-B202-6]近赤外領域におけるシリコンフォトダイオードのオーバーフィル照射とアンダーフィル照射における応答非直線性
〇田辺 稔1 (1.産総研計量標準総合センター)
キーワード：
シリコンフォトダイオード,放射測定,測光
シリコンフォトダイオード(Si PD)は、ナノワットからミリワットの広い光パワーレベルや可視から近赤外の波長範囲で精密な光測定が可能である。広い光パワーで精密な測定を実施するためには、Si PDの応答の直線性を評価する必要がある。理想的なSi PDは応答出力が直線的であるが、ほとんどが、応答が増加・減少する非直線性（スーパリニアリティ・飽和）を示す。よって、この非直線性を評価し、補正や予測する必要がある。本研究では、Si PDの近赤外領域における、オーバーフィル照射とアンダーフィル照射での応答非直線性を評価した。