[22a-12J-1~8] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

10:30 AM - 10:45 AM JST(1:30 AM - 1:45 AM UTC)

[22a-12J-4] New Steep Subthreshold Slope Device "Gate-Controlled Carrier-Injection SOI Transistor"

〇(M2)Haruki Yonezaki¹, Takayuki Mori¹, Jiro Ida¹ (1.Kanazawa Inst. of Tech.)

Keywords:

Steep slope device,SOI,Floating body effect

極低消費電力で動作するCMOS集積回路の実現に向けて, Steep Subthreshold Slope (S < 60 mV/dec) を持つデバイスが必要とされている. 我々はこれまで, Steep SSデバイスとして, PN-Body Tied SOI-FET (PNBT SOI-FET) とその改良構造であるDual-Gate (DG) PNBT SOI-FETを提案している. 今回は新構造 Steep SSデバイスである”Gate-Controlled Carrier-Injection SOI-Transistor (GCCI SOI-Tr)”を提案する.