講演情報
[22a-12J-4]新構造Steep Subthreshold Slope デバイス "Gate-Controlled Carrier-Injection SOI-Transistor"の提案
〇(M2)米崎 晴貴1、森 貴之1、井田 次郎1 (1.金沢工大)
キーワード：
Steep slope device,SOI,基盤浮遊効果
極低消費電力で動作するCMOS集積回路の実現に向けて, Steep Subthreshold Slope (S < 60 mV/dec) を持つデバイスが必要とされている. 我々はこれまで, Steep SSデバイスとして, PN-Body Tied SOI-FET (PNBT SOI-FET) とその改良構造であるDual-Gate (DG) PNBT SOI-FETを提案している. 今回は新構造 Steep SSデバイスである”Gate-Controlled Carrier-Injection SOI-Transistor (GCCI SOI-Tr)”を提案する.