[22a-61C-1~9] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)

[22a-61C-3] Development of Minimal Fab HfNx Reactive Sputtering Tool

〇Shuichi Noda¹, Yuuki Yabuta³, Naoko Yamamoto³, Ryuichiro Kamei³, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL, 3.Seinan-kogyo)

Keywords:

minimalfab,HfNx,reactive sputter

遷移金属の窒化物は、様々な特長的な性質を持つことが知られており、ミニマルファブにおいても既にTiNスパッタ装置、AlNスパッタ装置を開発してきた。今回、強誘電体ゲート構造をもつ1 Tr型の不揮発性メモリ応用[を念頭に、HfN_x材料のための高真空度到達、高温ステージ制御が可能な反応性スパッタ装置を開発した。その結果、α-Hfからδ-HfNおよびc-Hf₃N₄への結晶相の制御が可能であることを確認した。