講演情報
[22a-61C-3]ミニマルHfNx反応性スパッタ装置の開発
〇野田 周一1、薮田 勇気3、山本 直子3、亀井 龍一郎3、原 史朗1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ、3.誠南工業)
キーワード：
ミニマルファブ,HfNx,反応性スパッタ
遷移金属の窒化物は、様々な特長的な性質を持つことが知られており、ミニマルファブにおいても既にTiNスパッタ装置、AlNスパッタ装置を開発してきた。今回、強誘電体ゲート構造をもつ1 Tr型の不揮発性メモリ応用[を念頭に、HfNx材料のための高真空度到達、高温ステージ制御が可能な反応性スパッタ装置を開発した。その結果、α-Hfからδ-HfNおよびc-Hf3N4への結晶相の制御が可能であることを確認した。