[22a-61C-1~9] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)

[22a-61C-5] Development of Plasma TEOS Film Deposited at Low Temperature for Minimal TSV Process

〇Noriko Miura¹, Hiroyuki Tanaka², Fumito Imura³, Yoshiyuki Nozawa⁴, Toshiyasu Hayami⁴, Shiro Hara^1,2,3 (1.MINIMAL, 2.AIST, 3.Hundred, 4.SPPT)

Keywords:

minimalfab,plasma CVD,TSV

ミニマルファブを用いたTSV形成技術の一環として、プラズマTEOS-CVDプロセスの低温化を検討している。一般に、成膜温度を下げると、膜密度が低下して絶縁特性が劣化することが懸念されるが、材料ガスおよび成膜圧力を下げて反応速度を抑制することで、200℃で成膜した場合でも300℃での成膜時と同等以上の緻密な膜の形成が可能であることが判明した。