講演情報
[22a-61C-5]ミニマルTSVプロセス対応の低温成膜プラズマTEOS膜の開発
〇三浦 典子1、田中 宏幸2、居村 史人3、野沢 善幸4、速水 利泰4、原 史朗1,2,3 (1.ミニマルファブ推進機構、2.産総研、3.(株)Hundred Semiconductors、4.SPPテクノロジーズ)
キーワード：
ミニマルファブ,プラズマCVD,TSV
ミニマルファブを用いたTSV形成技術の一環として、プラズマTEOS-CVDプロセスの低温化を検討している。一般に、成膜温度を下げると、膜密度が低下して絶縁特性が劣化することが懸念されるが、材料ガスおよび成膜圧力を下げて反応速度を抑制することで、200℃で成膜した場合でも300℃での成膜時と同等以上の緻密な膜の形成が可能であることが判明した。