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10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)

[22a-61C-7]Improvement of wafer in-plane variation of device processes in Minimal Fab

〇Hiroyoshi Hongoh¹, Shuhei Nakamichi¹, Shiro Hara^1,2,3 (1.MINIMAL, 2.AIST, 3.Hundred)

minimalfab,yield

ミニマルファブで製造するデバイスについて、ドーパントコーティングプロセスの面内均一性の改善を行った。これによって、トランジスタ特性の均一性が改善されることを報告する。