Presentation Information
[22p-21C-10]Investigation of thermal stress on n-type GaN/Ti/Au by Raman spectroscopy and FEM analysis at high temperature
〇Kodai Matsushita1, Takuto Matsuda1, Jun Suda1 (1.Chukyo Univ.)
Keywords:
optical properties,semiconductor
現在、半導体パワーデバイスはSiからなるMOSFETやIGBTが普及しているが、すでにその材料の持つ性能限界に近づいている。したがって、Siパワーデバイスの限界をはるかに超える低損失のパワーデバイス実現への期待からGaNなどのワイドギャップ半導体を用いたパワーデバイスが注目されている。本研究では、ラマン分光法により、ショットキーコンタクト型の電極付GaNの熱応力の温度依存性を明らかにした。