講演情報
[22p-21C-10]ラマン分光法とFEM解析によるTi/Au電極付n形GaN半導体の熱応力解析
〇松下 広大1、松田 拓大1、須田 潤1 (1.中京大工)
キーワード：
光物性,半導体
現在、半導体パワーデバイスはSiからなるMOSFETやIGBTが普及しているが、すでにその材料の持つ性能限界に近づいている。したがって、Siパワーデバイスの限界をはるかに超える低損失のパワーデバイス実現への期待からGaNなどのワイドギャップ半導体を用いたパワーデバイスが注目されている。本研究では、ラマン分光法により、ショットキーコンタクト型の電極付GaNの熱応力の温度依存性を明らかにした。