Presentation Information
[22p-21C-15]Midgap recombination processes in GaN crystals grown by the low pressure acidic ammonothermal method
〇Kohei Shima1, Akira Uedono2, Shoji Ishibashi3, Toru Ishiguro1, Shigefusa Chichibu1 (1.IMRAM Tohoku Univ., 2.Univ. of Tsukuba, 3.AIST)
Keywords:
GaN,LPAAT,Photoluminescence
高周波動作が可能な縦型GaN MOSパワーデバイスを実現するには、転位密度が極めて低い単結晶バルクGaNから切り出す、大口径かつ無歪で反りの無いGaNウエハが必要である。我々は、従来の酸性アモノサーマル(Acidic Ammonothermal：AAT)法より低圧力(~100 MPa)条件下での成長(Low-Pressure Acidic Ammonothermal：LPAAT)法を開発してきた。LPAAT-GaN基板をデバイスに適用するためには、多数キャリアの補償要因ないしは少数キャリア寿命の制限要因となるミッドギャップ再結合中心の理解が不可欠である。本研究では、LPAAT-GaN結晶のミッドギャップ再結合過程をフォトルミネッセンス法等により評価した結果を報告する。