講演情報
[22p-21C-15]低圧酸性アモノサーマル成長GaNのミッドギャップ再結合過程
〇嶋 紘平1、上殿 明良2、石橋 章司3、石黒 徹1、秩父 重英1 (1.東北大多元研、2.筑波大数物系、3.産総研CD-FMat)
キーワード：
窒化ガリウム,低圧酸性アモノサーマル,フォトルミネッセンス
高周波動作が可能な縦型GaN MOSパワーデバイスを実現するには、転位密度が極めて低い単結晶バルクGaNから切り出す、大口径かつ無歪で反りの無いGaNウエハが必要である。我々は、従来の酸性アモノサーマル(Acidic Ammonothermal：AAT)法より低圧力(~100 MPa)条件下での成長(Low-Pressure Acidic Ammonothermal：LPAAT)法を開発してきた。LPAAT-GaN基板をデバイスに適用するためには、多数キャリアの補償要因ないしは少数キャリア寿命の制限要因となるミッドギャップ再結合中心の理解が不可欠である。本研究では、LPAAT-GaN結晶のミッドギャップ再結合過程をフォトルミネッセンス法等により評価した結果を報告する。