Presentation Information
[22p-21C-18]Cathodoluminescence studies of hexagonal BN epilayers containing graphitic BN segments grown by chemical vapor deposition on a sapphire substrate using BCl3 and NH3 precursors
〇Kohei Shima1, Takumi Kasuya1, Shundai Takaya1, Haruto Tsujitani1, Kazuhiko Hara2, Shigefusa Chichibu1 (1.IMRAM-Tohoku Univ., 2.RIE, Shizuoka Univ.)
Keywords:
Boron nitride,Cathodoluminescence
積層順AA’で表される六方晶(h)BNは、間接遷移型半導体でありながら室温において禁制帯幅(約6 eV)に相当する波長215 nm付近の高効率発光を呈するため、深紫外線発光材料として期待できる。我々はhBN薄膜の評価を通じ、成長条件によってはグラファイト積層(AB積層)のbernal (b)相が混入するというモデルを支持した。bBN相は波長207 nm付近(室温)の発光を呈するとともに第二高調波発生が報告されているため興味深い。本講演では、bBNセグメントを含むhBN薄膜のカソードルミネッセンス測定結果を考察する。