講演情報
[22p-21C-18]BCl3/NH3を用いてサファイア基板上にCVD成長させたhBN薄膜および多形BNセグメントの陰極線蛍光評価
〇嶋 紘平1、粕谷 拓生1、髙屋 竣大1、辻谷 陽仁1、原 和彦2、秩父 重英1 (1.東北大多元研、2.静大電子研/創造科学院)
キーワード：
窒化ホウ素,カソードルミネッセンス
積層順AA’で表される六方晶(h)BNは、間接遷移型半導体でありながら室温において禁制帯幅(約6 eV)に相当する波長215 nm付近の高効率発光を呈するため、深紫外線発光材料として期待できる。我々はhBN薄膜の評価を通じ、成長条件によってはグラファイト積層(AB積層)のbernal (b)相が混入するというモデルを支持した。bBN相は波長207 nm付近(室温)の発光を呈するとともに第二高調波発生が報告されているため興味深い。本講演では、bBNセグメントを含むhBN薄膜のカソードルミネッセンス測定結果を考察する。