[22p-P04-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[22p-P04-1] AlGaN/GaN vertical devices on Si substrates with highly resistive strained layer superlattice as the current blocking layer

〇Toshiharu Kubo¹, Takaya Koike¹, Toshiki Kamiya¹, Takashi Egawa¹ (1.Nagoya Inst. Tech.)

Keywords:

AlGaN/GaN HEMT structure,CAVET,strained layer superlattice

GaN系縦型デバイスにおいて、再成長型CAVETでは、電流狭窄層(CBL)としてp-GaNが主に用いられている。しかし、p-GaNの活性化が困難であることによるCBLの導通やMgの拡散による2DEG層の劣化、Mgのメモリー効果などの問題点がある。そこで我々はp-GaNの代わりとして高抵抗の歪超格子層を用いて、Si基板上にAlGaN/GaNヘテロ構造を有するCAVETを作製し、その電気特性評価を行ったので、結果を報告する。