[22p-P04-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[22p-P04-1] 電流狭窄層に高抵抗歪超格子層を用いたSi基板上AlGaN/GaN縦型デバイス

〇久保 俊晴¹、小池 貴也¹、神谷 俊輝¹、江川 孝志¹ (1.名大工)

キーワード：

AlGaN/GaN HEMT structure,CAVET,歪超格子

GaN系縦型デバイスにおいて、再成長型CAVETでは、電流狭窄層(CBL)としてp-GaNが主に用いられている。しかし、p-GaNの活性化が困難であることによるCBLの導通やMgの拡散による2DEG層の劣化、Mgのメモリー効果などの問題点がある。そこで我々はp-GaNの代わりとして高抵抗の歪超格子層を用いて、Si基板上にAlGaN/GaNヘテロ構造を有するCAVETを作製し、その電気特性評価を行ったので、結果を報告する。