[22p-P04-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[22p-P04-11] Flat-band Voltage Shift of GaN-MOS Capacitors with Floating Gate Structure

〇Xigen Li¹, Manato Deki², Shun Lu¹, Hirotaka Watanabe³, Naoki Fujimoto³, Shugo Nitta³, Yoshio Honda^1,2,3, Hiroshi Amano^1,2,3 (1.Dept. of Elec. Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. D-center, 3.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:

GaN-MOS devices,Floating Gate

GaN-MOSデバイスのノーマリーオフ化とチャネル移動度向上のため、フローティングゲート（FG）構造を用いたGaN-MOSキャパシタの評価を行った。ALD法によってSiO2/SiN/SiO2のFG構造を成膜した。一定電流注入によって18V以上のVfbシフトが実現し、Vfbの変動は20年後においても3V程度減少することが推測された。FG構造を用いることでノーマリーオフ化が達成できると期待できる。