[22p-P04-1~18] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[22p-P04-11] FG構造を用いたGaN-MOSキャパシタのフラットバンド電圧シフト

〇李 熙根¹、出来 真斗²、陸 順¹、渡邉 浩崇³、藤元 直樹³、新田 州吾³、本田 善央^1,2,3、天野 浩^1,2,3 (1.名大院工、2.名大Dセンター、3.名大未来材料・システム研究所)

キーワード：

GaN-MOSデバイス,フローティングゲート

GaN-MOSデバイスのノーマリーオフ化とチャネル移動度向上のため、フローティングゲート（FG）構造を用いたGaN-MOSキャパシタの評価を行った。ALD法によってSiO2/SiN/SiO2のFG構造を成膜した。一定電流注入によって18V以上のVfbシフトが実現し、Vfbの変動は20年後においても3V程度減少することが推測された。FG構造を用いることでノーマリーオフ化が達成できると期待できる。