Presentation Information
[22p-P04-13]Characterization of noble gas plasma-induced defects in n-GaN
〇Yuta Kuwayama1, Manato Fujitsuna1, Kazuki Tanaka1, Mayu Oshima1, Seiji Nakamura1 (1.Tokyo Metropolitan Univ.)
Keywords:
plasma,GaN,DLTS
我々はこれまで，GaN中のプラズマ照射誘起欠陥の起源および導入メカニズムの解明を目的に，貴ガスを用いたプラズマ照射の実験を行ってきた．その結果，欠陥導入レートや電気的特性にガス種依存性があることがわかっている．今回，導入された欠陥に関して，バイアスアニールの影響を受けにくい温度領域にてDLTS測定をはじめとした測定手法により評価し，明らかになったことを報告する．